此外，多弧鍍涂層顏色較為穩定，尤其是在做 TiN 涂層時(shí)，每一批次均容易得到相同穩定的金黃色，裝飾不銹鋼鍍鈦選哪家，令磁控濺射法望塵莫及。多弧鍍的不足之處是，在用傳統的 DC 電源做低溫涂層條件下，當涂層厚度達到0.3μm 時(shí)，沉積率與反射率接近，成膜變得非常困難。而且，薄膜表面開(kāi)始變朦。多弧鍍另一個(gè)不足之處是，由于金屬是熔后蒸發(fā)，因此沉積顆粒較大，致密度低，耐磨性比磁控濺射法成膜差。


較為成熟的 PVD 方法主要有多弧鍍與磁控濺射鍍兩種方式。多弧鍍設備結構簡(jiǎn)單，容易操作。它的離子蒸發(fā)源靠電焊機電源供電即可工作，其引弧的過(guò)程也與電焊類(lèi)似，具體地說(shuō)，在一定工藝氣壓下，引弧針與蒸發(fā)離子源短暫接觸，斷開(kāi)，使氣體放電。由于多弧鍍的成因主要是借助于不斷移動(dòng)的弧斑，在蒸發(fā)源表面上連續形成熔池，使金屬蒸發(fā)后，沉積在基體上而得到薄膜層的，裝飾不銹鋼鍍鈦服務(wù)，與磁控濺射相比，它不但有靶材利用率高，更具有金屬離子離化率高，薄膜與基體之間結合力強的優(yōu)點(diǎn)。

基片置于合適的位置是獲得均勻薄膜的前提條件.

b、壓強的大小. 為了保證膜層質(zhì)量，壓強應盡可能低Pr≦(Pa)

L表示蒸發(fā)源到基片的距離為L(cháng)(cm)。

c、蒸發(fā)速率.蒸發(fā)速率小時(shí)，沉積的膜料原子(或分子)上立刻吸附氣體分子，因而形成的膜層結構疏松，顆粒粗大，缺陷多;反之，膜層結構均勻致密，機械強度高，膜層內應力大.

d、基片的溫度.在通常情況下，基片溫度高時(shí)，裝飾不銹鋼鍍鈦公司，吸附原子的動(dòng)能隨之增大，形成的薄膜容易結晶化，裝飾不銹鋼鍍鈦，并使晶格缺陷減少;基片溫度低時(shí)，則沒(méi)有足夠大的能量供給吸附原子，因而容易形成無(wú)定形態(tài)薄膜.

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