真空鍍膜室壁上單分子層所吸附的分子數Ns與氣相中分子數N的比值近似值。通常在常用的高真空系統中，其內表面上所吸附的單層分子數，遠遠超過(guò)氣相中的分子數。因此，除了蒸發(fā)源在蒸鍍過(guò)程中所釋放的氣體外，在密封和抽氣系統性能均良好和清潔的真空系統中，若氣壓處于10-4Pa時(shí)，從真空室壁表面上解吸出來(lái)的氣體分子就是真空系統內的主要氣體來(lái)源。真空下室壁單分子層所吸附的分子數與氣相分子數之比分子數與氣相分子數A-鍍膜室的內表面積，cm2;V-鍍膜室的容積，cm3;ns-單分子層內吸附分子數，個(gè)/cm2;n-氣相分子數，個(gè)/cm3 次數用完API KEY 超過(guò)次數限制

氣態(tài)的原子、分子在真空中經(jīng)過(guò)很少的碰撞遷移到基體。(3)鍍料原子、分子沉積在基體表面形成薄膜。(二)蒸發(fā)源將鍍料加熱到蒸發(fā)溫度并使之氣化，這種加熱裝置稱(chēng)為蒸發(fā)源。zui常用的蒸發(fā)源是電阻蒸發(fā)源和電子束蒸發(fā)源，特殊用途的蒸發(fā)源有高頻感應加熱、電弧加熱、輻射加熱、激光加熱蒸發(fā)源等。(三)真空蒸鍍工藝實(shí)例以塑料金屬化為例，真空蒸鍍工藝包括：鍍前處理、鍍膜及后處理。真空蒸鍍的基本工藝過(guò)程如下：(1)鍍前處理，漯河專(zhuān)業(yè)鍍鈦，包括清洗鍍件和預處理。具體清洗方法有清洗劑清洗、化學(xué)溶劑清洗、超聲波清洗和離子轟擊清洗等。 次數用完API KEY 超過(guò)次數限制

烘烤，將鍍件烘烤加熱到所需溫度。(5)離子轟擊，真空度一般在10Pa～10-1Pa，離子轟擊電壓200V～1kV負高壓，專(zhuān)業(yè)鍍鈦選哪家，離擊時(shí)間為5min～30min，(6)預熔，調整電流使鍍料預熔，專(zhuān)業(yè)鍍鈦服務(wù)，調整電流使鍍料預熔，除氣1min～2min。(7)蒸發(fā)沉積，根據要求調整蒸發(fā)電流，直到所需沉積時(shí)間結束。(8)冷卻，鍍件在真空室內冷卻到一定溫度。(9)出爐，．取件后，專(zhuān)業(yè)鍍鈦哪家好，關(guān)閉真空室，抽真空至l×l0-1Pa，擴散泵冷卻到允許溫度，才可關(guān)閉維持泵和冷卻水。 次數用完API KEY 超過(guò)次數限制