真空鍍膜技術(shù)一般分為物理液相堆積(PVD)技術(shù)和有機化學(xué)液相堆積(有機化學(xué)液相堆積)技術(shù)兩類(lèi)。物理學(xué)液相堆積技術(shù)是指在真空泵標準下用各種物理方法將電鍍材料揮發(fā)成分子、分子結構或弱電解質(zhì)成正離子，立即堆積在基礎表層的方式。硬反映膜主要基于物理學(xué)液體的堆積。利用化學(xué)物質(zhì)的熱揮發(fā)和離子轟擊分子在化學(xué)物質(zhì)表層的磁控濺射等物理學(xué)全過(guò)程，完成化學(xué)物質(zhì)分子從源化學(xué)物質(zhì)到塑料薄膜的控制轉移全過(guò)程。物理學(xué)液相堆積技術(shù)具有薄膜/底材結合性好、塑料薄膜均勻高密度均勻、塑料薄膜厚度可控性好、運用目標廣、磁控濺射復蓋面廣、塑料薄膜堆積厚、鋁合金塑料薄膜平穩、可重復性好的優(yōu)點(diǎn)。有機化學(xué)液相堆積技術(shù)是將塑料薄膜的原素蒸汽和原素的化學(xué)物質(zhì)展示在基礎上，根據液相效果和基礎表層的化學(xué)變化，在基礎上制作金屬材料和化學(xué)物質(zhì)塑料薄膜的方式。

真空鍍膜技術(shù)是一項新興的技術(shù)，國際上直到60年代才開(kāi)始將CVD(化學(xué)氣相鍍膜)技術(shù)應用到硬質(zhì)合金工具中。因為這種方法需要在高溫(工藝溫度高于1000oC)下進(jìn)行，且涂層類(lèi)型單一，局限性很大，所以在開(kāi)發(fā)初期還有待改進(jìn)。離子鍍膜的基本原理：在真空條件下，采用一定的等離子體離子化技術(shù)，使鍍層原子部分離子化，同時(shí)產(chǎn)生大量高能中性原子，并在鍍層表面施加負偏壓。因此，在深度負偏壓作用下，離子沉積在基體表面形成薄膜。

與之對應的化學(xué)氣相沉積(ChemicalVaporDepsition)簡(jiǎn)稱(chēng)為CVD技術(shù)。行業(yè)內通常所說(shuō)的“IP”(ionplatin離子鍍膜，是因為在PVD工藝技術(shù)中各種氣體離子和金屬離子參與成膜過(guò)程并起到重要作用，為了強調離子的作用，而統稱(chēng)為離子鍍膜。真空鍍膜是一種產(chǎn)生薄膜材料的技術(shù)。在真空室內材料的原子從加熱源離析出來(lái)打到被鍍物體的表面上。此項技術(shù)用于生產(chǎn)激光唱片(光盤(pán))上的鋁鍍膜和由掩膜在印刷電路板上鍍金屬膜。在真空中制備膜層，包括鍍制晶態(tài)的金屬、半導體、絕緣體等單質(zhì)或化合物膜。雖然化學(xué)汽相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段，但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式，即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍.蒸發(fā)鍍膜通過(guò)加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在固體表面，稱(chēng)為蒸發(fā)鍍膜。