PVD技術(shù)不僅提高了薄膜與刀具基體材料的結合強度，涂層成分也由代的TiN發(fā)展為T(mén)iC、TiCN、ZrN、CrN、MoS2、TiAlN、TiAlCN、TiN-AlN、CNx、DLC和ta-C等多元復合涂層。

　　增強型磁控陰極?。宏帢O弧技術(shù)是在真空條件下，通過(guò)低電壓和高電流將靶材離化成離子狀態(tài)，從而完成薄膜材料的沉積。增強型磁控陰極弧利用電磁場(chǎng)的共同作用，將靶材表面的電弧加以有效地控制，使材料的離化率更高，薄膜性能更加優(yōu)異。

　　過(guò)濾陰極?。哼^(guò)濾陰極電弧(FCA )配有的電磁過(guò)濾系統，可將離子源產(chǎn)生的等離子體中的宏觀(guān)粒子、離子團過(guò)濾干凈，經(jīng)過(guò)磁過(guò)濾后沉積粒子的離化率為100%，并且可以過(guò)濾掉大顆粒， 因此制備的薄膜非常致密和平整光滑，具有抗腐蝕性能好，與機體的結合力很強。

　　磁控濺射：在真空環(huán)境下，通過(guò)電壓和磁場(chǎng)的共同作用，以被離化的惰性氣體離子對靶材進(jìn)行轟擊，致使靶材以離子、原子或分子的形式被彈出并沉積在基件上形成薄膜。根據使用的電離電源的不同，導體和非導體材料均可作為靶材被濺射。

　?、趲罨牡木€(xiàn)速恒定問(wèn)題。這一問(wèn)題也很重要，因為只有卷繞機構保證帶狀基材的線(xiàn)速恒定，才能使基材上鍍層厚度均勻。這一點(diǎn)對制備帶狀基材的功能性膜（如電容器膜）尤為重要。

　?、蹘罨牡呐芷推瘃迒?wèn)題。隨著(zhù)卷繞速度的提高，帶狀基材在卷繞鍍膜過(guò)程中，起褶和發(fā)生偏斜，嚴重時(shí)會(huì )造成基材的斷裂，使生產(chǎn)中斷，既影響生產(chǎn)效率，又浪費材料。因此，在卷繞機構的設計中應充分考慮這一問(wèn)題。