點(diǎn)可蒸發(fā)任何材料薄膜純度高直接作用于材料表面，熱

缺點(diǎn)電子槍結構復雜，造價(jià)高化合物沉積時(shí)易分解，化學(xué)比失調

3激光蒸發(fā)鍍膜

采用高能激光束對材料進(jìn)行蒸發(fā)，用以形成薄膜的方法，一般稱(chēng)為激光蒸鍍。

優(yōu)點(diǎn)薄膜純度高蒸發(fā)速率高特別適合蒸發(fā)成分復雜的合金或化合物，膜層的化學(xué)計量比與靶材保持一致

缺點(diǎn)

    易產(chǎn)生微小顆粒飛濺，影響薄膜質(zhì)量

PVD加工特點(diǎn)

1).PVD膜層能直接鍍在不銹鋼以及硬質(zhì)合金上，對比較軟的鋅合金、銅、鐵等壓鑄件應先進(jìn)行化學(xué)電鍍鉻，然后才適合鍍PVD，但是水鍍后做PVD容易起泡，不良率較高；

2).典型的 PVD 涂層加工溫度在 250 ℃—450 ℃之間；

3).涂層種類(lèi)和厚度決定工藝時(shí)間，一般工藝時(shí)間為 3~6 小時(shí)；

4).PVD鍍膜膜層的厚度為微米級，厚度較薄，一般為0.3μm～5μm，其中裝飾鍍膜膜層的厚度一般為0.3μm~1μm，因此可以在幾乎不影響工件原來(lái)尺寸的情況下提高工件表面的各種物理性能和化學(xué)性能，并能夠維持工件尺寸基本不變，鍍后不須再加工；

靶材承受的功率密度是有限的.靶面溫度過(guò)高會(huì )導致靶材熔化或引起弧光放電.在直接水冷的情況下,金屬靶材的靶功率密度允許值為10~30W/cm2.根據選定的靶電壓和允許的靶功率密度,即可確定靶電流密度.

降低Ar壓強有利于提高鍍膜速率,還有利于提高膜層結合力和膜層致密度.磁控濺射的Ar壓強通常選為0.5Pa,氣體放電的阻抗隨Ar壓強的降低而升高.磁控濺射時(shí),可以適當調節Ar壓強,