感應加熱式蒸發(fā)鍍膜

利用高頻電磁場(chǎng)感應加熱，使材料汽化蒸發(fā)在基片表面凝結成膜的技術(shù)。

優(yōu)點(diǎn)蒸發(fā)速率大，可比電阻蒸發(fā)源大10倍左右  蒸發(fā)源的溫度穩定，不易產(chǎn)生飛濺現象坩堝溫度較低，坩堝材料對膜導污染較少缺點(diǎn)蒸發(fā)裝置必須屏蔽造價(jià)高、設備復雜

在真空中，高能粒子轟擊材料表面，使其原子獲得足夠的能量而逸出表面，到達襯底凝結成膜的技術(shù)。

與真發(fā)鍍膜相比，濺射鍍膜適用于所有（包括高熔點(diǎn)）材料，具有附著(zhù)力強、成分可控、易于規?；a(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。

但其工作氣壓低于蒸發(fā)鍍膜，因此膜層的含氣量和孔隙率大于蒸發(fā)鍍膜。

磁控濺射是70年代在陰極濺射的基礎上發(fā)展起來(lái)的一種新型濺射鍍膜法,由于它有效地克服了陰極濺射速率低和電子使基片溫度升高的致命弱點(diǎn),因此獲得了迅速的發(fā)展和廣泛的應用.

1. 磁控濺射:

離子轟擊靶材將靶面原子擊出的現象稱(chēng)為濺射.濺射產(chǎn)生的原子沉積在基體(工件)表面即實(shí)現濺射鍍膜.

磁控濺射的基本原理:

磁控濺射是在濺射區加了與電場(chǎng)方向垂直的磁場(chǎng),處于正交電場(chǎng)區E和磁場(chǎng)B中的電子的運動(dòng)方程,

靶材承受的功率密度是有限的.靶面溫度過(guò)高會(huì )導致靶材熔化或引起弧光放電.在直接水冷的情況下,金屬靶材的靶功率密度允許值為10~30W/cm2.根據選定的靶電壓和允許的靶功率密度,即可確定靶電流密度.

降低Ar壓強有利于提高鍍膜速率,還有利于提高膜層結合力和膜層致密度.磁控濺射的Ar壓強通常選為0.5Pa,氣體放電的阻抗隨Ar壓強的降低而升高.磁控濺射時(shí),可以適當調節Ar壓強,