不同燒結溫度下，通過(guò)鐵基結合劑胎體對金剛石的把持力系數的變化可以看出：未鍍和鍍鈦金剛石的把持力系數隨燒結溫度的升高有相同的變化規律，在730 °C 時(shí)把持力系數。在不同的燒結溫度下，鍍鈦金剛石節塊的把持力系數均高于未鍍的，說(shuō)明金剛石表面鍍鈦后，胎體對金剛石的把持能力提高，即胎體與金剛石間的結合強度增加。此外，把持力系數與燒結溫度之間沒(méi)有線(xiàn)性關(guān)系。

基片置于合適的位置是獲得均勻薄膜的前提條件.

b、壓強的大小. 為了保證膜層質(zhì)量,壓強應盡可能低Pr≦(Pa)

L表示蒸發(fā)源到基片的距離為L(cháng)(cm)。

c、蒸發(fā)速率.蒸發(fā)速率小時(shí),沉積的膜料原子(或分子)上立刻吸附氣體分子,因而形成的膜層結構疏松,顆粒粗大,缺陷多;反之,膜層結構均勻致密,機械強度高,膜層內應力大.

d、基片的溫度.在通常情況下,基片溫度高時(shí),吸附原子的動(dòng)能隨之增大,形成的薄膜容易結晶化,并使晶格缺陷減少;基片溫度低時(shí),則沒(méi)有足夠大的能量供給吸附原子,因而容易形成無(wú)定形態(tài)薄膜.

靶材承受的功率密度是有限的.靶面溫度過(guò)高會(huì )導致靶材熔化或引起弧光放電.在直接水冷的情況下,金屬靶材的靶功率密度允許值為10~30W/cm2.根據選定的靶電壓和允許的靶功率密度,即可確定靶電流密度.

降低Ar壓強有利于提高鍍膜速率,還有利于提高膜層結合力和膜層致密度.磁控濺射的Ar壓強通常選為0.5Pa,氣體放電的阻抗隨Ar壓強的降低而升高.磁控濺射時(shí),可以適當調節Ar壓強,