5、表面若被漂白劑或者酸附著(zhù)，立即用水沖洗，再用或中性碳酸蘇打水溶液浸洗，用中性洗滌劑或溫水洗滌。

6、表面有彩虹紋，是過(guò)多使用洗滌劑或油引起，洗滌時(shí)用溫水中性洗滌劑可洗去。

7、禁止使用含漂白成分以及研磨劑的洗滌液、鋼絲球、研磨工具等來(lái)清洗，為避免殘余洗滌液，腐蝕表面，洗滌結束時(shí)要用潔凈水沖洗表面。

8、禁止產(chǎn)品接觸強酸強堿的化學(xué)物品。

PVD（Physical Vapor Deition），在真空條件下，采用物理方法，使材料源表面氣化成原子、分子或離子，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。PVD主要分為蒸鍍、濺射和離子鍍三大類(lèi)。

蒸發(fā)鍍膜

真空條件下，將鍍料加熱蒸發(fā)或升華，材料的原子或分子直接在襯底上成膜的技術(shù)。根據加熱方法的不同主要有以下幾種蒸發(fā)鍍膜技術(shù)。

采用電阻加熱蒸發(fā)源的蒸發(fā)鍍膜技術(shù)，一般用于蒸發(fā)低熔點(diǎn)材料，如鋁、金、銀、硫化鋅、氟化鎂、三氧化二鉻等；加熱電阻一般采用鎢、鉬、鉭等。

基片置于合適的位置是獲得均勻薄膜的前提條件.

b、壓強的大小. 為了保證膜層質(zhì)量,壓強應盡可能低Pr≦(Pa)

L表示蒸發(fā)源到基片的距離為L(cháng)(cm)。

c、蒸發(fā)速率.蒸發(fā)速率小時(shí),沉積的膜料原子(或分子)上立刻吸附氣體分子,因而形成的膜層結構疏松,顆粒粗大,缺陷多;反之,膜層結構均勻致密,機械強度高,膜層內應力大.

d、基片的溫度.在通常情況下,基片溫度高時(shí),吸附原子的動(dòng)能隨之增大,形成的薄膜容易結晶化,并使晶格缺陷減少;基片溫度低時(shí),則沒(méi)有足夠大的能量供給吸附原子,因而容易形成無(wú)定形態(tài)薄膜.